尺寸：

? 5 mm x 5 mm x 70 mm

? 5 mm x 5 mm x 100 mm

? 6 mm x 6 mm x 100 mm

電阻： 大于 200 歐姆·厘米

生產方式： FZ（浮區法）

摻雜元素： 磷 (P)

晶向： 111

摻磷（摻P）籽晶是在半導體材料，尤其是硅晶體生長過程中使用的一種技術。在硅晶體的生長過程中，通過在硅中摻入磷原子，可以改變硅的電學性質，使其從本征半導體轉變為N型半導體。

摻磷籽晶的基本原理

? 摻雜: 在半導體制造中，摻雜是向純凈的半導體材料中引入少量的雜質原子的過程，目的是改變材料的電導率。磷作為一種五價元素，當摻入四價的硅晶格中時，磷原子會有一個額外的電子，這個電子可以自由移動，增加材料的導電性。

? N型半導體: 摻入磷后的硅晶體是N型半導體，因為多出的自由電子成為了主要的電荷載體。

摻磷籽晶的應用

? 電子器件制造: 摻磷的硅晶體是制造各種電子器件（如晶體管、二極管、集成電路等）的基本材料。

? 太陽能電池: 在太陽能電池制造中，摻磷硅也被廣泛使用來提高電池的效率和性能。